Transistor MOSFET / Canal P / 50 V / 18 A / 0.14 Ω / 74 W / TO-220AB

Transistor de potencia MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control en equipos de análisis electrónico. Este dispositivo ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 0.14 Ω que minimiza las pérdidas por conducción, permitiendo operación eficiente con corrientes elevadas hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB facilita la integración en diseños de PCB through-hole con disipación térmica directa, resultando ideal para entornos de laboratorio y equipos de prueba como analizadores de circuitos.

Características principales

• MOSFET canal P con tecnología de óxido metálico
• Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 50 V
• Corriente continua de drenaje: 18 A @ 25°C
• Resistencia RDS(on) máxima: 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V
• Disipación de potencia máxima: 74 W
• Capacitancia de entrada (Ciss): 900 pF @ 25 V
• Carga de compuerta (Qg): 39 nC @ 10 V
• Voltaje umbral VGS(th): 4 V máx. @ 250 µA
• Voltaje compuerta-fuente máximo: ±20 V
• Rango de temperatura de unión: -55°C ~ 150°C
• Montaje: Through hole, encapsulado TO-220AB

Especificaciones técnicasTipo de FETP-Channel MOSFETVDSS50 VID @ 25°C18 A (TC)RDS(on) máx.140 mΩ @ 9.3 A, 10 VVoltaje de drive10 V (máx. RDS on, mín. RDS on)VGS(th) máx.4 V @ 250 µAQg máx. @ VGS39 nC @ 10 VVGS máx.±20 VCiss máx. @ VDS900 pF @ 25 VDisipación máx.74 W (TC)Temperatura operación-55°C ~ 150°C (TJ)EncapsuladoTO-220AB, Through hole