Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

Transistor NPN Epitaxial de Silicio / 27 MHz / 12 Vcc / 13 W / Encapsulado T-30E

SKU: 2SC3133
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Descripción técnica

Transistor NPN epitaxial de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia. Ofrece alta eficiencia energética con operación estable hasta 27 MHz, ideal para equipos de comunicación y transmisores. Su encapsulado T-30E garantiza disipación térmica optimizada, permitiendo manejar 13 watts de potencia de salida de forma confiable. Es compatible como reemplazo directo del modelo 2SC1945, facilitando mantenimiento y actualización de equipos existentes.

Características principales
  • Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente
  • Frecuencia de operación hasta 27 MHz
  • Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
  • Potencia de salida de 13 watts
  • Reemplazo directo para modelo 2SC1945
  • Encapsulado T-30E para disipación térmica optimizada
Especificaciones técnicasTipoNPN Epitaxial de SilicioFrecuencia máxima27 MHzVoltaje máximo12 VccPotencia de salida13 WEncapsuladoT-30ECompatibilidadReemplazo 2SC1945

¿Para qué sirve? · KENWOOD / ICOM / TXPRO

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Especificaciones técnicas

  • Alta eficiencia en amplificación de radiofrecuencia
  • Operación estable hasta 27 MHz
  • Disipación térmica optimizada con encapsulado T-30E
  • Reemplazo directo compatible con modelo 2SC1945
  • Potencia de salida de 13 watts para aplicaciones exigentes
  • Voltaje máximo de 12 Vcc para circuitos de baja tensión

Ficha física

Dimensiones 1 × 2 cm (ancho × alto)

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