Transistor NPN de Alta Frecuencia / 30-500 MHz / 28 Vcc / 10 dB / 125 W / Push-Pull

Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de alta frecuencia en el rango de 30 a 500 MHz. Integra dos transistores en configuración push-pull con emisores comunes, optimizando el rendimiento en sistemas de amplificación de RF. Ofrece una potencia de salida de 125 W a 400 MHz con ganancia de 10 dB y eficiencia del 55%, incluyendo redes de adaptación de impedancia integradas que simplifican el diseño de circuitos.

• Transistor NPN de silicio para alta frecuencia
• Rango operativo: 30-500 MHz
• Tensión colector-emisor: 28 Vcc
• Ganancia: 10 dB con eficiencia del 55%
• Potencia de salida: 125 W a 400 MHz
• Doble transistor en encapsulado push-pull
• Configuración de emisores comunes
• Redes de adaptación de impedancia integradas
• Metabolización de oro
• VSWR 30:1 sin degradación

VCEO: 30 VDC

VCBO: 60 VDC

VEBO: 4.0 VDC

IC: 16 A DC

PD: 270 W (a TC = 25°C)

Derate: 1.54 W/°C

TSTG: -65 a +150 °C

TJ: 200 °C

RθJC: 0.65 °C/W

HFE: 40-100 (a IC = 1.0 A DC)

COB: 75-95 pF

Ganancia: 8-10 dB

Eficiencia: 50-55%

VSWR: 30:1 sin degradación

Impedancia: 20 Ω

Dos transistores en un solo encapsulado

Configuración push-pull

Emisores comunes

Redes de adaptación de impedancia integradas

Metabolización de oro