Transistor NPN de Potencia RF / 470 MHz / 6.2 dB Ganancia / 25 W / 16 VCEO / 103 W Disipación

Transistor NPN de Potencia RF para Aplicaciones de 470 MHz

Este transistor NPN de potencia RF está diseñado para operar eficientemente en la banda de 470 MHz, ofreciendo una ganancia de 6.2 dB y una potencia de salida de 25 watt. Fabricado con tecnología de silicio avanzada, proporciona impedancia controlada tanto en entrada como en salida, facilitando el diseño de etapas amplificadoras sin necesidad de redes de adaptación complejas. Su arquitectura térmica optimizada permite manejar elevadas densidades de potencia en aplicaciones de transmisión de RF, broadcast y telecomunicaciones profesionales.

El dispositivo incorpora especificaciones eléctricas robustas que garantizan operación estable bajo condiciones de carga variables, con voltajes de ruptura conservadores que proporcionan margen de seguridad en diseños de alta fiabilidad para infraestructura crítica de comunicaciones.

Características Principales

• Tecnología de silicio avanzada para máxima eficiencia
• Impedancia de entrada y salida controlada
• Alta ganancia de potencia: 6.2 dB a 470 MHz
• Disipación térmica de 103 W con derating de 0.59 W/°C
• Resistencia térmica juntura-carcaza de 1.7 °C/W
• Rango de temperatura de almacenamiento: -65°C a +150°C

Especificaciones TécnicasParámetros de RFFrecuencia de operación470 MHzGanancia de potencia6.2 dBPotencia de salida25 WRatings MáximosVCEO (Voltaje colector-emisor)16 VDCVCBO (Voltaje colector-base)36 VDCVEBO (Voltaje emisor-base)4.0 VDCCorriente de colector (IC)4.0 ADCDisipación total (TC=25°C)103 WCaracterísticas TérmicasResistencia térmica (RθJC)1.7 °C/WDerating sobre 25°C0.59 W/°CRango temperatura almacenamiento-65 a +150 °CCaracterísticas Eléctricas (TC=25°C)V(BR)CEO (IC=20 mADC, IB=0)16 VDCV(BR)CBO (IC=20 mADC, VBE=0)36 VDCV(BR)EBO (IE=5.0 mADC, IC=0)4.0 VDCCorriente fuga colector (VCE=15 VDC)≤5.0 mADC