TPL COMMUNICATIONS
Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).
SKU: B2114
B2B Tier
Características Principales Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz Potencia de salida: 70 Watts Tensión de alimentación: 12.5 Vdc Ganancia: 11.5 dB Eficiencia:
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Descripción técnica
Características Principales Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz Potencia de salida: 70 Watts Tensión de alimentación: 12.5 Vdc Ganancia: 11.5 dB Eficiencia: 60% Tecnología: MOSFET de canal N lateral Capacidad para manejar VSWR de 20:1 Paquete plástico capaz de 200°C Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo) Aplicaciones Equipos de comunicación móvil FM Amplificadores de señal RF Equipos industriales y comerciales Sistemas de radiofrecuencia Características de Diseño Estabilidad térmica excelente Parámetros de impedancia equivalente en serie Disponibilidad de información del amplificador de demostración Paquete plástico TO-272-8 Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm) Ratings Máximos Voltage D-S: +0.5 a +40 Vdc Voltage G-S: ±20 Vdc Disipación: 165 W @ 25°C Derating: 0.5 W/°C sobre 25°C T. Almacenamiento: -65 a +150 °C T. Unión: 200 °C Características Térmicas RθJC: 0.29 °C/W Protección ESD Modelo Humano: Clase 1 (Mínimo) Modelo Máquina: M2 (Mínimo) Modelo Carga Dispositivo: C2 (Mínimo) Sensibilidad a la Humedad Estándar: JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020 Nivel: 3 Temperatura pico: 260 °C Características OFF IDSS: Máx 1 μA (VDS = 60 Vdc, VGS = 0 Vdc) Características ON VGS(th): 1 a 3 Vdc (VDS = 12.5 Vdc, ID = 0.8 mAdc) VDS(on): Máx 1 Vdc (VGS = 10 Vdc, ID = 2.0 Adc) Características Dinámicas Ciss: Máx 500 pF Coss: Máx 250 pF Crss: Máx 35 pF Características RF Ganancia: 11.5 dB Eficiencia: 60% Frecuencias de Operación 135-175 MHz 400-470 MHz 450-520 MHz Configuración del Amplificador Amplificador de fuente común Polarización de compuerta y drenaje Redes de entrada/salida con microstrip Componentes pasivos de RF Condiciones de Prueba VDD = 12.5 Vdc IDQ = 800 mA Frecuencia de prueba: 470 MHz Pout = 70 W Pin = 36-38 dBm Componentes de Prueba Condensadores de chip de 100 mil Inductores de 1 a 2 vueltas Resistencias de chip (1206) Beads de ferrita Microstrip de diferentes dimensiones Condensadores electrolíticos Condiciones Ambientales Temperatura de prueba: 25°C Temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C Temperatura de operación: Hasta 200 °C
Especificaciones técnicas
| Característica 1 | Tecnología MOSFET de canal N lateral |
| Característica 2 | Potencia de salida 70 W a 470 MHz |
| Característica 3 | Eficiencia del 60% con VDD de 12.5 VDC |
| Característica 4 | Capacidad VSWR de 20:1 para alta robustez |
| Característica 5 | Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C |
| Característica 6 | Ganancia de 11.5 dB en banda 135-520 MHz |
Descargas
Verificador de compatibilidad
Hikvision · Dahua · NVR + cámaras
Base:
B2114
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