TPL COMMUNICATIONS
Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).
SKU: B2114
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Soporte técnico RimeIT
Descripción técnica
Características Principales
- Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz
- Potencia de salida: 70 Watts
- Tensión de alimentación: 12.5 Vdc
- Ganancia: 11.5 dB
- Eficiencia: 60%
- Tecnología: MOSFET de canal N lateral
- Capacidad para manejar VSWR de 20:1
- Paquete plástico capaz de 200°C
- Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)
- Equipos de comunicación móvil FM
- Amplificadores de señal RF
- Equipos industriales y comerciales
- Sistemas de radiofrecuencia
- Estabilidad térmica excelente
- Parámetros de impedancia equivalente en serie
- Disponibilidad de información del amplificador de demostración
- Paquete plástico TO-272-8
- Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
- Voltage D-S: +0.5 a +40 Vdc
- Voltage G-S: ±20 Vdc
- Disipación: 165 W @ 25°C
- Derating: 0.5 W/°C sobre 25°C
- T. Almacenamiento: -65 a +150 °C
- T. Unión: 200 °C
- RθJC: 0.29 °C/W
- Modelo Humano: Clase 1 (Mínimo)
- Modelo Máquina: M2 (Mínimo)
- Modelo Carga Dispositivo: C2 (Mínimo)
- Estándar: JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
- Nivel: 3
- Temperatura pico: 260 °C
- IDSS: Máx 1 μA (VDS = 60 Vdc, VGS = 0 Vdc)
- VGS(th): 1 a 3 Vdc (VDS = 12.5 Vdc, ID = 0.8 mAdc)
- VDS(on): Máx 1 Vdc (VGS = 10 Vdc, ID = 2.0 Adc)
- Ciss: Máx 500 pF
- Coss: Máx 250 pF
- Crss: Máx 35 pF
- Ganancia: 11.5 dB
- Eficiencia: 60%
- 135-175 MHz
- 400-470 MHz
- 450-520 MHz
- Amplificador de fuente común
- Polarización de compuerta y drenaje
- Redes de entrada/salida con microstrip
- Componentes pasivos de RF
- VDD = 12.5 Vdc
- IDQ = 800 mA
- Frecuencia de prueba: 470 MHz
- Pout = 70 W
- Pin = 36-38 dBm
- Condensadores de chip de 100 mil
- Inductores de 1 a 2 vueltas
- Resistencias de chip (1206)
- Beads de ferrita
- Microstrip de diferentes dimensiones
- Condensadores electrolíticos
- Temperatura de prueba: 25°C
- Temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
- Temperatura de operación: Hasta 200 °C
Especificaciones técnicas
- Tecnología MOSFET canal N lateral para alta eficiencia
- Eficiencia del 60% con alimentación de 12.5 VDC
- Capacidad VSWR 20:1 para máxima robustez operativa
- Paquete plástico TO-272-8 resistente hasta 200°C
- Ganancia de 11.5 dB en banda amplia 135-520 MHz
- Cumple con RoHS con terminales libres de plomo
Descargas
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Base:Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).(B2114)
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