Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

Características principales

• Potencia de salida de hasta 84W típicamente
• Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
• Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete
• Diodo integrado de protección para la puerta
• Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia

Especificaciones eléctricas

• Tensión drenaje-fuente: 40V (máx.)
• Tensión puerta-fuente: -5/+10V
• Disipación del canal: 300W
• Corriente de drenaje: 20A (máx.)
• Temperatura de canal: 175°C
• Resistencia térmica: 0.5°C/W

Desempeño RF

• Potencia de salida: 84W típico a 175MHz
• Eficiencia: 74% típico a 175MHz
• Potencia de entrada: 4.0W a 175MHz
• Potencia de salida: 75W típico a 530MHz
• Eficiencia: 64% típico a 530MHz
• Potencia de entrada: 5.5W a 530MHz

Frecuencia de operación

• Rango VHF: 135-175 MHz
• Rango UHF: 450-530 MHz
• Frecuencias típicas: 135, 155, 175, 450, 490, 530 MHz

Condiciones de prueba

• Tensión de prueba: 12.5V
• Corriente de polarización: 1.0A total / 0.5A por lado
• Impedancia: 50Ω
• Tasa de VSWR: 20:1

Compatibilidad

• Cumple con RoHS
• Plomo en soldaduras de alta temperatura (más del 85%)
• Excepción aplicable: Soldaduras de alta temperatura

Aplicaciones

• Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
• Sistemas de radio móvil VHF/UHF
• Equipos de comunicación de banda ancha

Condiciones ambientales

• Temperatura de operación: -40°C a 175°C
• Temperatura de almacenamiento: -40°C a 175°C
• Temperatura de prueba: 25°C (a menos que se indique)

Características eléctricas típicas

• Corriente de drenaje sin tensión de puerta: 150μA
• Corriente de fuga puerta-fuente: 2.5μA
• Tensión umbral de puerta: 1.6V (mín.) - 2.4V (máx.)

Configuración del circuito

• Paquete de moldeado
• Conexión de múltiples electrodos
• Diseño para evaluación VHF (135-175MHz)

Composición del paquete

• Material: Silicio
• Encapsulado: Paquete de molde
• Configuración de pines
• Cumple con estándares RoHS

Configuración de pines

• 1. Fuente (común)
• 2. Drenaje
• 3. Drenaje
• 4. Fuente (común)
• 5. Fuente (común)
• 6. Puerta
• 7. Puerta
• 8. Fuente (común)
• 9. Fuente (común)

Características de diseño

• Diseño para alta eficiencia
• Optimizado para VHF/UHF
• Conexión de múltiples electrodos
• Construcción de bajo ESR

Evaluación y prueba

• Evaluación en placa de prueba VHF
• Impedancia característica: 50Ω
• Material del sustrato: Epoxi de vidrio
• Const. dieléctrica: 4.8 @1GHz
• Tangente de pérdida: 0.018 @1GHz
• Documentación: AN-VHF-049

Componentes asociados

• Capacitores cerámicos de alta Q
• Bobinas de precisión
• Resistencias de chip SMD
• Capacitores electrolíticos de 220μF