Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

Características principalesPotencia de salida de hasta 84W típicamenteEficiencia del drenaje del 74% a 175 MHzEmpaque en cinta y carrete: 500 unidades por carreteDiodo integrado de protección para la puertaDiseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potenciaEspecificaciones eléctricasTensión drenaje-fuente: 40V (máx.)Tensión puerta-fuente: -5/+10VDisipación del canal: 300WCorriente de drenaje: 20A (máx.)Temperatura de canal: 175°CResistencia térmica: 0.5°C/WDesempeño RFPotencia de salida: 84W típico a 175MHzEficiencia: 74% típico a 175MHzPotencia de entrada: 4.0W a 175MHzPotencia de salida: 75W típico a 530MHzEficiencia: 64% típico a 530MHzPotencia de entrada: 5.5W a 530MHzFrecuencia de operaciónRango VHF: 135-175 MHzRango UHF: 450-530 MHzFrecuencias típicas: 135, 155, 175, 450, 490, 530 MHzCondiciones de pruebaTensión de prueba: 12.5VCorriente de polarización: 1.0A total / 0.5A por ladoImpedancia: 50ΩTasa de VSWR: 20:1CompatibilidadCumple con RoHSPlomo en soldaduras de alta temperatura (más del 85%)Excepción aplicable: Soldaduras de alta temperaturaAplicacionesEtapa de salida de amplificadores de alta potenciaSistemas de radio móvil VHF/UHFEquipos de comunicación de banda anchaCondiciones ambientalesTemperatura de operación: -40°C a 175°CTemperatura de almacenamiento: -40°C a 175°CTemperatura de prueba: 25°C (a menos que se indique)Características eléctricas típicasCorriente de drenaje sin tensión de puerta: 150μACorriente de fuga puerta-fuente: 2.5μATensión umbral de puerta: 1.6V (mín.) - 2.4V (máx.)Configuración del circuitoPaquete de moldeadoConexión de múltiples electrodosDiseño para evaluación VHF (135-175MHz)Composición del paqueteMaterial: SilicioEncapsulado: Paquete de moldeConfiguración de pinesCumple con estándares RoHSConfiguración de pines1. Fuente (común)2. Drenaje3. Drenaje4. Fuente (común)5. Fuente (común)6. Puerta7. Puerta8. Fuente (común)9. Fuente (común)Características de diseñoDiseño para alta eficienciaOptimizado para VHF/UHFConexión de múltiples electrodosConstrucción de bajo ESREvaluación y pruebaEvaluación en placa de prueba VHFImpedancia característica: 50ΩMaterial del sustrato: Epoxi de vidrioConst. dieléctrica: 4.8 @1GHzTangente de pérdida: 0.018 @1GHzDocumentación: AN-VHF-049Componentes asociadosCapacitores cerámicos de alta QBobinas de precisiónResistencias de chip SMDCapacitores electrolíticos de 220μF

Base: RD70HUF2

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