SYSCOM PARTS
Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc
SKU: MRF-1517-T1
B2B Tier
El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimi
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Descripción técnica
El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7,5 voltios Rendimiento especificado @ 520 MHz,7.5 Volts. Potencia de salida 8 Watts. Ganancia de potencia 11dB. Eficiencia- 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie. Excelente estabilidad térmica. Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 9,5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación. Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.
Especificaciones técnicas
| Característica 1 | Transistor RF tipo N de alta potencia |
| Característica 2 | Frecuencia máxima 520 MHz con 8 W |
| Característica 3 | Operación estable a 7.5 Vcc |
| Característica 4 | Ganancia de potencia de 11 dB |
| Característica 5 | Eficiencia del 55% en RF |
| Característica 6 | Diseño SMD para montaje superficial |
Descargas
Verificador de compatibilidad
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Base:
MRF-1517-T1
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