Transistor Bipolar NPN SD1275-01, 160 MHz, 13.6 Vcc, 40 Watt.

Características Principales Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz Potencia de salida de 40 Watt Operación a 13.6 VCC estable Diseño compacto y eficiente térmicamente Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas Especificaciones Básicas Tipo: Transistor bipolar NPN Frecuencia: 160 MHz Tensión de alimentación: 13.6 VCC Configuración: Emisor común Aplicación: Comunicaciones VHF Límites Máximos VCBO: 36 V VCEO: 16 V VCES: 36 V VEBO: 4.0 V IC: 8.0 A PDISS: 70 W TJ: +200 °C TSTG: -65 a +150 °C Especificaciones Dinámicas POUT: 40 W (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V) GP: 9 dB (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V) COB: 95 pF (f=1 MHz, VCB=15 V) Especificaciones Estáticas BVCES: 36 V (IC=15 mA, VBE=0 mA) BVCEO: 16 V (IC=50 mA, IB=0 mA) BVEBO: 4.0 V (IE=5 mA, IC=0 mA) ICBO: 5 mA (VCB=15 V, IE=0 mA) hFE: 20 (VCE=5 V, IC=250 mA) Datos Térmicos RTH(j-c): 1.2 °C/W Datos de Impedancia ZIN (Ω): 1.0 + j 0.4 (160 MHz) ZCL (Ω): 2.3 + j 0.1 (160 MHz) Nota: PIN = 3.0 W; VCE = 12.5 V Conexiones 1: Colector 2: Emisor 3: Base 4: Emisor Dimensiones Mecánicas (M113) A: 5.59-5.84 mm (0.220-0.230') B: 19.94 mm (0.785') C: 18.29-18.54 mm (0.720-0.730') D: 24.64-24.89 mm (0.970-0.980') E: 9.78 mm (0.385') Dimensiones Mecánicas (M113) Cont. F: 0.10-0.15 mm (0.004-0.006') G: 2.16-2.67 mm (0.085-0.105') H: 4.06-4.57 mm (0.160-0.180') I: 7.11 mm (0.280') J: 6.10-6.48 mm (0.240-0.255') Rendimiento Típico Diseño con geometría de emisor amortiguado para soportar condiciones extremas de desadaptación de carga Características eléctricas especificadas a 25°C Paquete plástico encapsulado con epoxi Frecuencia de operación: hasta 160 MHz Tensión de colector-emisor: 16 V (máx.) Aplicaciones Sistemas de comunicación VHF Amplificadores de potencia RF Equipos de radio móvil Transmisores de alta frecuencia Sistemas de comunicación de alta confiabilidad Información de Pedido Código de pedido: SD1275-01 Marcaje: SD1275-1 Paquete: M113 Embalaje: Bandejas plásticas Datos Adicionales Revisión: 2 Fecha de revisión: Mayo 2004 Tipo de transistor: Silicio epitaxial Clase de operación: Clase C

Base: B2-223

✓ Compatible · puede integrarse en mismo sistema ✗ No compatible · diferente marca/protocolo ? SKU no encontrado en base · contactar soporte