Transistor RF de Potencia NPN / 30 MHz / 13.6 Vcc / 4.0 A / 10 W / TO-220AB

Transistor NPN de potencia RF fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de amplificación en alta frecuencia hasta 30 MHz. Ofrece una potencia de salida de 10 W con alta eficiencia energética del 40%, ideal para equipos de comunicación y transmisores en banda HF. Su encapsulado TO-220AB con configuración emisor común facilita la integración en diseños de RF. Soporta corrientes de colector hasta 4.0 A con excelente disipación térmica gracias a su resistencia térmica unión-carcasa de 12.5°C/W.

Características Principales

• Transistor NPN de potencia RF en silicio
• Frecuencia operativa hasta 30 MHz
• Tensión colector-emisor: 13.6 Vcc nominal
• Corriente máxima de colector: 4.0 A
• Potencia de salida: 10 W
• Paquete TO-220AB con configuración emisor común

Especificaciones TécnicasMáximos Ratings AbsolutosCorriente de colector (IC)4.0 ATensión colector-emisor (VCE)18 VTensión colector-base (VCB)48 VDisipación de potencia (PD)10 W @ TC = 25°CTemperatura de almacenamiento (TSTG)-65°C a +150°CTemperatura de unión (TJ)-65°C a +150°CCaracterísticas TérmicasResistencia térmica unión-carcasa (θJ-C)12.5°C/WCaracterísticas EléctricasBVCEO @ IC = 20 mA18 VBVCES @ IC = 50 mA48 VBVEBO @ IE = 5.0 mA4.0 VICBO @ VCB = 25 V1.0 mAhFE @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA30-60COB @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz125-145 pFGanancia de potencia (GP)10-12 dBEficiencia (η) @ POUT = 12 W PEP, VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA40%Distorsión de intermodulación (IMD)-30 dBConfiguración FísicaPaqueteTO-220AB (Common Emitter)Pin 1BasePin 2ColectorPin 3EmisorTab (aleta de disipación)Colector