Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.

Características Principales Transistor NPN de silicio con 100 VCE Alta corriente de 4 Amperios Frecuencia de operación a 130 MHz Potencia media de 1.2 Watt Formato compacto TO-92 Características Eléctricas VCEO: 100 V IC (continua): 4 A fT: 130 MHz Ptot: 1.2 W hFE: 100-300 VCE(sat): 14-200 mV VBE(sat): 960-1100 mV Características Mecánicas Encapsulado: TO-92 Temperatura de operación: -55 a +200 °C Resistencia térmica (Junto a Ambiente): 150 °C/W Resistencia térmica (Junto a Carcasa): 50 °C/W Características de Voltaje VCBO: 200 V VCEO: 100 V VEBO: 6 V VCE(sat): 14-200 mV VBE(sat): 960-1100 mV Características de Corriente IC (continua): 4 A IC (pico): 10 A ICBO: 5-10 nA IEBO: 10 nA Características de Frecuencia fT: 130 MHz ftest: 50 MHz Características de Conmutación ton: 50 ns toff: 1650 ns Características de Potencia Ptot a 25°C: 1.2 W Ptot práctica: 1.58 W Aplicaciones Típicas Conmutación de alta corriente Amplificación de RF Circuitos de potencia media Fuentes de alimentación Control de motores Circuitos de protección

Base: ZTX853-ND

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