Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07
Transistor NPN de silicio diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia en el rango de alta frecuencia (HF).
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Descripción técnica
Transistor NPN de silicio diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia en el rango de alta frecuencia (HF). Opera eficientemente en el espectro de 2 a 30 MHz con una potencia de salida de 12.5 watts, ideal para etapas de potencia en transmisores, amplificadores de RF y equipos de comunicación. Su encapsulado estándar 211-07 facilita la integración en diseños existentes y nuevos desarrollos de equipos de telecomunicaciones.
Características principales- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia de operación: 2 a 30 MHz
- Potencia máxima de salida: 12.5 watts
- Voltaje colector-emisor: 12.5 Vcc
- Encapsulado estándar 211-07 para montaje simplificado
- Alta eficiencia en operación de radiofrecuencia
¿Para qué sirve? · KENWOOD / ICOM / TXPRO
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Ver la guía completa de KENWOOD / ICOM / TXPRO →Especificaciones técnicas
- Alta eficiencia en aplicaciones de radiofrecuencia
- Rango de frecuencia optimizado para HF
- Manejo de potencia de 12.5 watts continua
- Voltaje colector-emisor de 12.5 Vcc
- Encapsulado estándar para montaje simplificado
- Silicio NPN para estabilidad térmica
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- Conector ZHR11 / Compatible con OPC617
- Mica Protectora de Display / Refacción para Radio Icom ICM88
- Módulo de Comunicación / RS-485 / Modbus y Profibus / 24 VDC / -20 a +70 °C
- Filtro / para ICF521 / Diseño Compacto
- Tuerca de Conexión de Antena / para Radio ICOM IC-F3
- Perilla de Volumen / para Radio ICOM IC-2100H
- Capacitor de Reemplazo / para ICOM ICF320
- Conector de Micrófono / para ICOM ICA24
- Display / Pantalla de Repuesto / para Radio ICOM ICF40G