Transistor NPN de Alta Frecuencia / 470 MHz / 12.5 Vcc / 8.0 dB / 0.75 W / Diseño Compacto

Transistor de silicio NPN diseñado para aplicaciones de alta frecuencia en el rango de 470 MHz, ideal para circuitos de amplificación RF en equipos de comunicaciones, transmisores y receptores. Opera con una tensión de 12.5 Vcc y ofrece una ganancia de 8.0 dB que garantiza amplificación eficaz de señales débiles. Su potencia máxima de 0.75 watt lo hace apto para etapas driver y preamplificadoras. El encapsulado compacto de referencia 79-04 facilita su montaje en diseños con alta densidad de componentes, mientras que su arquitectura optimizada minimiza el consumo energético sin sacrificar rendimiento.

Características Principales

• Transistor NPN de silicio para alta frecuencia
• Frecuencia de operación: 470 MHz
• Tensión operativa: 12.5 Vcc
• Ganancia de potencia: 8.0 dB
• Potencia máxima de salida: 0.75 W
• Encapsulado compacto referencia 79-04
• Diseño optimizado para bajo consumo energético

Especificaciones TécnicasTipo de TransistorNPN de SilicioFrecuencia Máxima470 MHzTensión de Operación12.5 VccGanancia de Potencia8.0 dBPotencia Máxima0.75 WEncapsulado79-04 (Compacto)Aplicaciones Típicas

• Amplificadores de RF en banda UHF
• Etapas driver en transmisores de comunicaciones
• Preamplificadores de señal en receptores
• Circuitos de osciladores controlados por voltaje (VCO)
• Equipos de radioafición y servicios profesionales móviles