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Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

SKU: MRF475 B2B Tier

Características Principales Transistor NPN de potencia RF de silicio Frecuencia operativa de hasta 30 MHz Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC Capacidad de c

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Descripción técnica

Características Principales Transistor NPN de potencia RF de silicio Frecuencia operativa de hasta 30 MHz Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC Capacidad de corriente de 4.0 Amperios Potencia de salida máxima de 10 Watt Máximos Ratings IC: 4.0 A VCE: 18 V VCB: 48 V PD: 10 W @ TC = 25 °C TSTG: -65 °C to +150 °C TJ: -65 °C to +150 °C θJ-C: 12.5 °C/W Características Eléctricas BVCEO: 18 V @ IC = 20 mA BVCES: 48 V @ IC = 50 mA BVEBO: 4.0 V @ IE = 5.0 mA ICBO: 1.0 mA @ VCB = 25 V hFE: 30-60 @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA Cob: 125-145 pF @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz GP: 10-12 dB η: 40% @ Pout = 12 W (PEP), VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA IMD: -30 dB Configuración Física Paquete: TO-220AB (Common Emitter) Conexiones: 1 = BASE, 2 = COLLECTOR, 3 = EMITTER TAB = COLLECTOR

Especificaciones técnicas

Característica 1	Transistor NPN de potencia RF de silicio
Característica 2	Frecuencia operativa hasta 30 MHz
Característica 3	Tensión colector-emisor 13.6 VCC
Característica 4	Corriente máxima 4.0 Amperios
Característica 5	Potencia salida 10 Watt
Característica 6	Paquete TO-220AB con configuración emisor común