Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

Características Principales Transistor de silicio NPN de alta frecuencia Rango de frecuencias: 30-500 MHz Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc Ganancia de 10 dB para amplificación eficaz Potencia máxima de salida: 125 Watt Máximos Permisibles VCEO: 30 Vdc VCBO: 60 Vdc VEBO: 4.0 Vdc IC: 16 Adc PD: 270 Watts (a TC = 25°C) Derate: 1.54 W/°C Tstg: -65 a +150 °C TJ: 200 °C Características Térmicas RθJC: 0.65 °C/W Características Eléctricas hFE: 40-100 (a IC = 1.0 Adc) Cob: 75-95 pF Características de Operación Ganancia: 8-10 dB Eficiencia: 50-55% VSWR: 30:1 sin degradación Impedancia: 20 Ω Configuración Dos transistores en un solo encapsulado Configuración push-pull Emisores comunes Redes de adaptación de impedancia integradas Metabolización de oro para alta confiabilidad Frecuencias de Operación Frecuencia de prueba: 400 MHz Rango de frecuencia: 30-500 MHz Reducción de potencia: 10 W a 14 W Tensión de prueba: 28 Vdc Aplicaciones Amplificadores de señal RF Sistemas de comunicación de banda ancha Equipos de prueba y medición RF Sistemas de radiodifusión Amplificadores lineales de alta potencia Especificaciones de Prueba Prueba de potencia: 125 W a 400 MHz Prueba de eficiencia: 55% típico Prueba de adaptación: VSWR 30:1 Prueba de impedancia: 20 Ω Impedancia Óptima 100 MHz: 0.72 + j0.44 Ω 225 MHz: 0.72 + j2.62 Ω 400 MHz: 3.88 + j5.72 Ω 450 MHz: 3.84 + j2.8 Ω 500 MHz: 1.26 + j3.01 Ω Dimensiones A: 22.60-23.11 mm B: 9.52-10.03 mm C: 6.65-7.16 mm D: 1.60-1.95 mm E: 2.94-3.40 mm

Base: MRF392

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