SYSCOM
Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.
SKU: MRF392
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Descripción técnica
Características Principales
- Transistor de silicio NPN de alta frecuencia
- Rango de frecuencias: 30-500 MHz
- Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
- Ganancia de 10 dB para amplificación eficaz
- Potencia máxima de salida: 125 Watt
- VCEO: 30 Vdc
- VCBO: 60 Vdc
- VEBO: 4.0 Vdc
- IC: 16 Adc
- PD: 270 Watts (a TC = 25°C)
- Derate: 1.54 W/°C
- Tstg: -65 a +150 °C
- TJ: 200 °C
- RθJC: 0.65 °C/W
- hFE: 40-100 (a IC = 1.0 Adc)
- Cob: 75-95 pF
- Ganancia: 8-10 dB
- Eficiencia: 50-55%
- VSWR: 30:1 sin degradación
- Impedancia: 20 Ω
- Dos transistores en un solo encapsulado
- Configuración push-pull
- Emisores comunes
- Redes de adaptación de impedancia integradas
- Metabolización de oro para alta confiabilidad
- Frecuencia de prueba: 400 MHz
- Rango de frecuencia: 30-500 MHz
- Reducción de potencia: 10 W a 14 W
- Tensión de prueba: 28 Vdc
- Amplificadores de señal RF
- Sistemas de comunicación de banda ancha
- Equipos de prueba y medición RF
- Sistemas de radiodifusión
- Amplificadores lineales de alta potencia
- Prueba de potencia: 125 W a 400 MHz
- Prueba de eficiencia: 55% típico
- Prueba de adaptación: VSWR 30:1
- Prueba de impedancia: 20 Ω
- 100 MHz: 0.72 + j0.44 Ω
- 225 MHz: 0.72 + j2.62 Ω
- 400 MHz: 3.88 + j5.72 Ω
- 450 MHz: 3.84 + j2.8 Ω
- 500 MHz: 1.26 + j3.01 Ω
- A: 22.60-23.11 mm
- B: 9.52-10.03 mm
- C: 6.65-7.16 mm
- D: 1.60-1.95 mm
- E: 2.94-3.40 mm
Especificaciones técnicas
- Doble transistor en encapsulado push-pull integrado
- Redes de adaptación de impedancia incorporadas
- Metabolización de oro para mayor confiabilidad
- Operación estable con VSWR 30:1 sin degradación
- Eficiencia del 50-55% en amplificación de RF
- Rango térmico extendido de -65°C a +150°C
Descargas
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Base:Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.(MRF392)
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