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Transistor de Potencia MOSFET / 70 W / 470 MHz / 11.5 dB / 12.5 VDC / TO-272-8
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Descripción técnica
Este transistor de potencia MOSFET de canal N lateral está diseñado para aplicaciones de RF en equipos de comunicación móvil FM, amplificadores de señal RF, y sistemas industriales y comerciales. Ofrece una potencia de salida de 70 W a 470 MHz con una ganancia de 11.5 dB, operando eficientemente con una tensión de alimentación de 12.5 VDC. Su arquitectura garantiza estabilidad térmica excelente y tolerancia excepcional ante desajustes de impedancia, soportando relaciones VSWR de hasta 20:1 sin degradación.
Características Principales- Tecnología MOSFET de canal N lateral
- Potencia de salida: 70 W a 470 MHz
- Eficiencia: 60% con VDD de 12.5 VDC
- Ganancia: 11.5 dB en banda 135-520 MHz
- Capacidad VSWR: 20:1 para alta robustez
- Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
- Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)
- Estabilidad térmica excelente
- Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles
- Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm / 1.73 pulgadas)
- Equipos de comunicación móvil FM
- Amplificadores de señal RF
- Equipos industriales y comerciales
- Sistemas de radiofrecuencia
- Estabilidad térmica excelente
- Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles
- Información del amplificador de demostración disponible
¿Para qué sirve? · Misceláneo
Para ponerte en contexto con números reales: en RimeIT hay 143 modelos de misceláneo publicados de marcas como SYSCOM, SYSCOM PARTS y RAMSEY, en un rango que va desde $1.22 hasta $11,581.70 MXN con IVA incluido.
Ver la guía completa de Misceláneo →Especificaciones técnicas
- Tecnología MOSFET canal N lateral para alta eficiencia
- Eficiencia del 60% con alimentación de 12.5 VDC
- Capacidad VSWR 20:1 para máxima robustez operativa
- Paquete plástico TO-272-8 resistente hasta 200°C
- Ganancia de 11.5 dB en banda amplia 135-520 MHz
- Cumple con RoHS con terminales libres de plomo
Ficha física
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- Circuito Integrado / Procesador de Deflexión Vertical / Salida PWM / 12V DC / Protección Térmica
- Capacitor Electrolítico Radial / 1000 µF / 10 V / Tolerancia ±20% / -40 °C a +85 °C
- Diodo Zener / 11V / 500mW / DO-41 / ±5% Tolerancia
- Circuito Integrado / Tranceptor RS-232 / +5V / 2 Drivers / 2 Receivers / SOIC16
- Resistencia SMD / 261 Ω / 1% / 1/10 W / 805-2125 / -55°C a +125°C
- Fusible de cristal / 7.5 A / 250 VAC / 125 VDC / 1.25 x 0.25 pulg (31.75 x 6.35 mm)