Transistor de Potencia MOSFET / 70 W / 470 MHz / 11.5 dB / 12.5 VDC / TO-272-8
Este transistor de potencia MOSFET de canal N lateral está diseñado para aplicaciones de RF en equipos de comunicación móvil FM, amplificadores de señal RF, y…
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Descripción técnica
Este transistor de potencia MOSFET de canal N lateral está diseñado para aplicaciones de RF en equipos de comunicación móvil FM, amplificadores de señal RF, y sistemas industriales y comerciales. Ofrece una potencia de salida de 70 W a 470 MHz con una ganancia de 11.5 dB, operando eficientemente con una tensión de alimentación de 12.5 VDC. Su arquitectura garantiza estabilidad térmica excelente y tolerancia excepcional ante desajustes de impedancia, soportando relaciones VSWR de hasta 20:1 sin degradación.
Características Principales- Tecnología MOSFET de canal N lateral
- Potencia de salida: 70 W a 470 MHz
- Eficiencia: 60% con VDD de 12.5 VDC
- Ganancia: 11.5 dB en banda 135-520 MHz
- Capacidad VSWR: 20:1 para alta robustez
- Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
- Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)
- Estabilidad térmica excelente
- Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles
- Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm / 1.73 pulgadas)
- Equipos de comunicación móvil FM
- Amplificadores de señal RF
- Equipos industriales y comerciales
- Sistemas de radiofrecuencia
- Estabilidad térmica excelente
- Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles
- Información del amplificador de demostración disponible
¿Para qué sirve? · Misceláneo
Para ponerte en contexto con números reales: en RimeIT hay 138 modelos de misceláneo publicados de marcas como SYSCOM, SYSCOM PARTS y RAMSEY, en un rango que va desde $0.79 hasta $8,426.36 MXN +IVA.
Ver la guía completa de Misceláneo →Especificaciones técnicas
- Tecnología MOSFET canal N lateral para alta eficiencia
- Eficiencia del 60% con alimentación de 12.5 VDC
- Capacidad VSWR 20:1 para máxima robustez operativa
- Paquete plástico TO-272-8 resistente hasta 200°C
- Ganancia de 11.5 dB en banda amplia 135-520 MHz
- Cumple con RoHS con terminales libres de plomo
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