Transistor Bipolar NPN / 160 MHz / 13.6 Vcc / 40 Watt / VHF

Transistor bipolar NPN diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en banda VHF, optimizado para operación a 160 MHz con potencia de salida de 40 W. Su configuración de emisor común y alimentación a 13.6 Vcc lo hacen ideal para sistemas de comunicaciones profesionales. El diseño térmico eficiente permite manejar disipaciones de hasta 70 W manteniendo estabilidad en condiciones exigentes. La impedancia de entrada caracterizada (1.0 + j0.4 a 160 MHz) facilita el acoplamiento con etapas driver en diseños de amplificadores RF.

Características Principales

• Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
• Potencia de salida de 40 W con 5 W de excitación
• Operación estable a 13.6 Vcc
• Diseño compacto con eficiencia térmica optimizada
• Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas
• Impedancia Zin 1.0 + j0.4 a 160 MHz

Especificaciones TécnicasBásicasTipoTransistor bipolar NPNFrecuencia160 MHzTensión alimentación13.6 VccConfiguraciónEmisor comúnAplicaciónComunicaciones VHFLímites MáximosVCBO36 VVCEO16 VVCES36 VVEBO4.0 VIC8.0 APDISS70 WTJ+200 °CTSTG-65 a +150 °CDinámicasPOUT40 W (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)GP9 dB (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)COB95 pF (f=1 MHz, VCB=15 V)EstáticasBVCES36 V (IC=15 mA, VBE=0 mA)BVCEO16 V (IC=50 mA, IB=...)