Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM
Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF, con operación optimizada hasta 175 MHz.
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Descripción técnica
Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF, con operación optimizada hasta 175 MHz. Proporciona una potencia de salida de 100 W con una relación de ganancia de 6.0 dB, ideal para transmisores FM y amplificadores de potencia RF. Su arquitectura de alta eficiencia energética y características térmicas controladas permiten operación sostenida en condiciones de alta demanda. Las impedancias de entrada y carga están especificadas para facilitar el diseño de redes de adaptación en circuitos de RF profesionales.
Características Generales- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
- Potencia de salida máxima de 100 W
- Voltaje de colector de 12.5 Vcc
- Diseño robusto para alta eficiencia energética
- Aplicaciones: sistemas de comunicación VHF, transmisores FM, amplificadores de potencia RF
- Frecuencia: 175 MHz
- Potencia de salida: 100 W
- Relación de ganancia: 6.0 dB
- Impedancia entrada: 1.5 - j0.9 Ω
- Impedancia carga: 0.5 - j1.0 Ω
- Voltaje colector-base (VCBO): 36 V
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 18 V
- Voltaje emisor-base (VEBO): 4.0 V
- Corriente de colector (IC): 20 A
- Disipación de potencia: 270 W
- Resistencia térmica (junto-case, RθJC): 0.65 °C/W
- Temperatura de almacenamiento: -65 a +200 °C
¿Para qué sirve? · Misceláneo
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Ver la guía completa de Misceláneo →Especificaciones técnicas
- Operación estable en banda VHF hasta 175 MHz para transmisores FM
- Potencia de salida de 100 W con ganancia de 6.0 dB en RF
- Impedancia optimizada: entrada 1.5-j0.9 Ω y carga 0.5-j1.0 Ω
- Disipación térmica de 270 W con resistencia térmica de 0.65 °C/W
- Voltajes de ruptura elevados: VCB 36 V, VCE 18 V, VEB 4.0 V
- Corriente de colector de 20 A para amplificadores de potencia RF
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- Fusible 8 Amp, 250 V Tipo Americano
- Circuito Integrado / Procesador de Deflexión Vertical / Salida PWM / 12V DC / Protección Térmica
- Capacitor Electrolítico Radial / 1000 µF / 10 V / Tolerancia ±20% / -40 °C a +85 °C
- Diodo Zener / 11V / 500mW / DO-41 / ±5% Tolerancia
- Circuito Integrado / Tranceptor RS-232 / +5V / 2 Drivers / 2 Receivers / SOIC16
- Resistencia SMD / 261 Ω / 1% / 1/10 W / 805-2125 / -55°C a +125°C
- Fusible 7.5 Amp. tipo Americano
- Conector Receptáculo / 11 Terminales / Paso 1.25 mm / Arneses Móviles Kenwood Series 102
- Capacitor Electrolítico / 4.7 µF / 50 Vcc / Radial / 105 °C / 5 x 11.7 mm
- Terminales en Rollo / Conectores MOLEX 3 mm / AWG 20-24 / Crimpado / 8.5 A / Phosphor Bronze
- Capacitor SMD / 10 µF / 20 VDC / Tantalio / -55°C a +125°C / Múltiples Tamaños EIA