Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM

Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF, con operación optimizada hasta 175 MHz. Proporciona una potencia de salida de 100 W con una relación de ganancia de 6.0 dB, ideal para transmisores FM y amplificadores de potencia RF. Su arquitectura de alta eficiencia energética y características térmicas controladas permiten operación sostenida en condiciones de alta demanda. Las impedancias de entrada y carga están especificadas para facilitar el diseño de redes de adaptación en circuitos de RF profesionales.

• Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
• Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
• Potencia de salida máxima de 100 W
• Voltaje de colector de 12.5 Vcc
• Diseño robusto para alta eficiencia energética
• Aplicaciones: sistemas de comunicación VHF, transmisores FM, amplificadores de potencia RF

• Frecuencia: 175 MHz
• Potencia de salida: 100 W
• Relación de ganancia: 6.0 dB
• Impedancia entrada: 1.5 - j0.9 Ω
• Impedancia carga: 0.5 - j1.0 Ω

• Voltaje colector-base (VCBO): 36 V
• Voltaje colector-emisor (VCEO): 18 V
• Voltaje emisor-base (VEBO): 4.0 V
• Corriente de colector (IC): 20 A
• Disipación de potencia: 270 W

• Resistencia térmica (junto-case, RθJC): 0.65 °C/W
• Temperatura de almacenamiento: -65 a +200 °C