Transistor MOSFET Canal-N / 200 V / 18 A / 125 W / TO-220AB / Conmutación de Alta Velocidad

Transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y control de potencia en equipos electrónicos industriales. Soporta tensiones de operación de hasta 200 V con capacidad de corriente continua de 18 A, permitiendo su uso en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y controladores de motores. La disipación máxima de potencia de 125 W garantiza estabilidad térmica en condiciones de carga elevada. El encapsulado TO-220AB facilita la instalación mecánica y la conexión a disipadores de calor convencionales, optimizando la gestión térmica en diseños compactos.

• • Tipo: MOSFET Canal N
• • Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 200 V
• • Corriente continua de drenaje (ID): 18 A
• • Disipación de potencia máxima (PD): 125 W
• • Encapsulado: TO-220AB
• • Aplicación: Conmutación de alta velocidad

• Voltaje drenaje-fuente: 200 V
• Corriente de drenaje: 18 A
• Disipación de potencia: 125 W

• Encapsulado: TO-220AB
• Montaje: Through-hole con orificio
• Compatible con disipadores estándar

• 1 × Transistor MOSFET IRF640