Transistor de RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 7.5 Vcc / SMD

Transistor de RF tipo N de alta potencia diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7.5 voltios. Ofrece potencia de salida de 8 watts con ganancia de potencia de 11 dB y eficiencia del 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie, presenta excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de VSWR 20:1. Su encapsulado de plástico SMD permite montaje superficial optimizado para producción en serie.

Características principales

• Transistor RF tipo N de alta potencia
• Frecuencia máxima de operación: 520 MHz
• Potencia de salida: 8 W
• Voltaje de operación: 7.5 Vcc
• Ganancia de potencia: 11 dB
• Eficiencia en RF: 55%
• Diseño SMD para montaje superficial
• Excelente estabilidad térmica
• Manejo de VSWR 20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación
• Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie

Especificaciones técnicasTipo de dispositivoTransistor RF FET Canal NFrecuencia máxima520 MHzPotencia de salida8 WVoltaje de operación7.5 VccGanancia de potencia11 dBEficiencia RF55%Tipo de encapsuladoSMD (montaje superficial)Manejo VSWR20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB sobremodulaciónCaracterizaciónParámetros de impedancia de señal grande equivalente en serieEstabilidadExcelente estabilidad térmicaAplicaciones típicas

• Amplificadores de fuente común de gran señal
• Equipos FM portátiles de 7.5 V
• Aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha
• Sistemas de comunicación en frecuencias hasta 520 MHz