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Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

SKU: IRF9Z30 B2B Tier

Transistor de Potencia MOSFET Tipo: Canal P Voltaje: 50 Volt Corriente: 18 Amp. Rds: 0.14 Ohm Potencia: 74 Watt Paquete: TO-220AB Aplicación: Analizador III

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Descripción técnica

Transistor de Potencia MOSFET Tipo: Canal P Voltaje: 50 Volt Corriente: 18 Amp. Rds: 0.14 Ohm Potencia: 74 Watt Paquete: TO-220AB Aplicación: Analizador III Características Técnicas FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Especificaciones Adicionales Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V FET Feature: - Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Información del Paquete Supplier Device Package: TO-220AB Package / Case: TO-220-3 Base Product Number: IRF9Z30

Especificaciones técnicas

Característica 1	MOSFET Canal P con voltaje de 50 V
Característica 2	Corriente continua de drenaje de 18 A
Característica 3	RDS(on) máxima de 0.14 Ω a 10 V
Característica 4	Disipación de potencia de 74 W
Característica 5	Capacitancia de entrada de 900 pF a 25 V
Característica 6	Paquete TO-220AB para montaje en PCB