MOSFET de potencia / Canal N / 50 A / 60 V / TO-220AB / Proceso MegaFET
Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados…
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Descripción técnica
Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI para ofrecer una utilización óptima del silicio y un rendimiento excepcional. Estos transistores están diseñados para su uso en reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Su capacidad de operación directa desde circuitos integrados simplifica el diseño de circuitos y reduce la complejidad del sistema.
Características principales- Tecnología MegaFET para rendimiento superior
- Optimización del silicio con proceso similar a LSI
- Diseñado para reguladores y convertidores de conmutación
- Compatible con controladores de motores y relés
- Operación directa desde circuitos integrados
- Encapsulado TO-220AB estándar de la industria
- Reguladores de conmutación (SMPS)
- Convertidores DC-DC
- Controladores de motores
- Controladores de relés
- Circuitos de conmutación de potencia
¿Para qué sirve? · Misceláneo
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Ver la guía completa de Misceláneo →Especificaciones técnicas
- Tecnología MegaFET para rendimiento superior
- Optimización del silicio con proceso LSI
- Compatible con controladores de motores y relés
- Operación directa desde circuitos integrados
- Ideal para reguladores y convertidores de conmutación
- Encapsulado TO-220AB estándar de la industria
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- Fusible 7.5 Amp. tipo Americano
- Conector Receptáculo / 11 Terminales / Paso 1.25 mm / Arneses Móviles Kenwood Series 102
- Capacitor Electrolítico / 4.7 µF / 50 Vcc / Radial / 105 °C / 5 x 11.7 mm
- Terminales en Rollo / Conectores MOLEX 3 mm / AWG 20-24 / Crimpado / 8.5 A / Phosphor Bronze
- Capacitor SMD / 10 µF / 20 VDC / Tantalio / -55°C a +125°C / Múltiples Tamaños EIA